Toshiba Mulai Pengiriman Sampel Uji MOSFET SiC 1200V Bare Die dengan On-Resistance Rendah dan Keanda

- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba") telah mengembangkan "X5M007E120," yaitu MOSFET ...... Baca selanjutnya

Bron:

ANTARA News - Nasional